公司以6英寸體硅工藝為主，可實現多種工藝的加工服務：

光刻：接近式光刻（可雙面）和步進光刻，最小線寬1um

薄膜制備：氧化、LPCVD、TEOS、PECVD

金屬制備：E-beam、磁控濺射

濕法腐蝕：KOH、 BOE/HF等

干法刻蝕：RIE、DRIE（深寬比達到40）

鍵合：硅硅、硅-玻璃、金屬共晶、金屬熱壓等多種鍵合

壓電材料制備：AlN

結構釋放：氣態HF刻蝕、XeF2刻蝕

減?。簷C械減薄、CMP